Científicos afirman que nanotubos de carbono pueden cambiar futuros dispositivos electrónicos

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Muchos gigantes tecnológicos, como IBM, están buscando reemplazar el silicio en los dispositivos electrónicos de nueva generación. En su última investigación, los científicos de Skoltech, con sede en Moscú, se acercaron a un avance que la industria aguarda.

Los microprocesadores de silicio se utilizan en muchos dispositivos electrónicos, incluidos nuestros teléfonos móviles, pero las posibilidades de el silicio han llegado efectivamente a sus límites. Los desarrolladores de todo el mundo están buscando nuevas formas de reducir costes y aumentar el rendimiento de nuestros dispositivos. Una nueva investigación del Instituto de Tecnología de Skólkovo (Skoltech), con sede en Moscú, podría ayudarlos a acercarse un poco más.

En colaboración con el Centro de Investigación IBM Watson, científicos rusos analizaron el comportamiento de los contactos eléctricos en nanotubos semiconductores de carbono (CNT). Son materiales extremadamente resistentes y relativamente ligeros, con propiedades electrónicas y ópticas únicas. Los nanotubos de carbono pueden conducir la electricidad de manera significativamente más eficiente que otros materiales, como el silicio y el cobre.

Se espera que los CNT transformen la industria de la electrónica a través de la producción de transistores que sean mucho más pequeños, más rápidos y más eficientes que cualquier cosa que se pueda lograr con la tecnología de chips del silicio. Los nanotubos son muy superiores a los transistores basados ​​en silicio gracias a la baja resistencia de los canales de nanotubos, pero su resistencia de contacto es un obstáculo significativo para el comienzo de su producción.

Sin embargo, cuando el tamaño del tubo disminuye a varias décimas de nanómetro, la resistencia de contacto comienza a dominar. Investigaciones anteriores en el campo revelaron que la presión del metal en los tubos semiconductores es lo suficientemente alta como para aplanarlos.

"En nuestra última investigación, de manera inesperada, predijimos que los tubos semiconductores aplastados por un contacto metálico se volverían metálicos", explicó el profesor ayudante Vasili Perebeinos, autor principal del estudio. “En este caso, la resistencia de contacto aumenta y no disminuye posteriormente. Esto se debe a la ruptura de la simetría axial de los tubos deformados bajo el contacto metálico".

La investigación ha ayudado a dilucidar los pasos que se pueden tomar para reducir la resistencia de contacto: según los científicos, es preferible usar tubos con diámetros relativamente pequeños.

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